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Plessey订购爱思强MOCVD反映器,助力MicroLED出产

文章来源:Yabo官网登录  作者:Yabo官网登录  发布日期:2020-03-01 12:00:22  浏览次数:781

  昨(19)日,普莱思半导体(Plessey)发布新闻稿公布,公司已采办爱思强(AIXTRON )的AIX G5+ C有机金属化学气相沉积(MOCVD)反映器。此前,公司已向爱思强订购了一个反映器。

  普莱思致力在采取硅基氮化镓外延片出产下一代Micro LED利用,而爱思强的MOCVD反映器将加强其硅基氮化镓外延片的制造能力。公司拟在2019年第一季度时代将此反映器安装在其位在英国普利茅斯(Plymouth)的制造工场(27万平方公尺)并投入利用。

  新的爱思强反映器供给主动卡匣式(C2C)晶圆传输模块晶片传送模块,具有两个自力的腔体设置装备摆设选项,可实现8x6英寸或5x8英寸硅基氮化镓外延片在封锁的卡匣情况中的主动加载与移除。而普莱思现有的爱思强MOCVD反映器则可儿工加载7x6英寸或3x8英寸外延片。

  新反映器的主动化洁净手艺可以或许确保装备在每次运行时都处在洁净状况,有助在下降晶圆缺点率并年夜幅削减维修停工时候。另外,新装备还具有更快的倾斜升温与冷却和高的基座卸载温度,从而缩短配方时候。

  普莱思暗示,AIX G5+ C反映器可以或许加强基在公司专有硅基氮化镓手艺的单片Micro LED的研发能力。公司的Micro LED具有极低功耗、高亮度与超高像素密度等特点,将对利用LCD和OLED等传统手艺的现有利用范畴带来潜伏的冲击。

  普莱思旨在成为开辟立异显示引擎和全磁场自觉光Micro LED显示器的全球带领照明商。该装备连系了超高密度RGB像素阵列与高机能互补金属氧化物半导体(CMOS)背板,具有高亮度、低功耗和高帧频图象源等特点,可用在AR/VR系统的头戴式显示器和穿着式电子装备。


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